locos,locos最强配件

包含一个或多个局部场氧隔离LOCOS区域，所述LOCOS区域内包含有源区图形和伪有源区图形；刻蚀版图，包含第一刻蚀图形和第二刻蚀图形；其中，每个第一刻蚀图形均位于所述有源区图形内，每个第二刻蚀图形均位于所述伪有源区图形内。在LOCOS形成工艺，采用上述设计版图，有助于更小发猫。通过采用硅局部氧化隔离(LOCOS)工艺实现有源区第三注入区和第二注入区浓度的分区控制从而实现部分区域低浓度第三注入区与金属形成肖特基接触，高浓度第二注入区与金属形成欧姆接触，进而实现带肖特基结构的快恢复二极管。同时由于采用硅局部氧化隔离(LOCOS)工艺实现分区说完了。