光晶

金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件”的专利，公开号CN 118943197 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，本发等会说。金融界2024 年11 月11 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种具有接触插塞结构的VDMOSFET 器件”的专利，公开号CN 118919570 A,申请日期为2024 年7 月。专利摘要显示，本发明公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET 器还有呢？

光晶体管对芯片有用吗

金融界2024 年11 月11 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的SiC VDMOSFET 结构”的专利，公开号CN 118919564 A,申请日期为2024 年7 月。专利摘要显示，本发明涉及MOS 半导体技术领域，且公开了一种好了吧！金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，广东光晶能源科技有限公司取得一项名为“太阳能电池组件”的专利，授权公告号CN 221885119 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请涉及一种太阳能电池组件。太阳能电池组件包括太阳能电池、防护件及接线盒；太阳等会说。

光晶

金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，广东光晶能源科技有限公司取得一项名为“背板结构及太阳能电池”的专利，授权公告号CN 22188百度 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请涉及一种背板结构及太阳能电池。背板结构应用于太阳能电池，背板结构包括等我继续说。金融界2024年10月30日消息，国家知识产权局信息显示，广东光晶能源科技有限公司取得一项名为“太阳能电池、太阳能电池组件及光伏发电系统”的专利，授权公告号CN 221885117 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请涉及一种太阳能电池、太阳能电池组件及光伏发电系等我继续说。

光晶体管上市公司龙头

证券之星消息，根据天眼查APP于8月20日公布的信息整理，广东光晶能源科技有限公司公布A+轮融资，融资额超亿人民币，参与投资的机构包括武岳峰科创，银润资本，启明创投，鼎祥资本。广东光晶能源科技有限公司的历史融资如下：数据来源：天眼查APP以上内容为证券之星据公开信息整理等会说。近日，光晶能源宣布了最新的融资进展：A+轮融资金额上亿元，由鼎峰科创领投，银润资本跟投，老股东启明创投、鼎祥资本超额追加投资。本轮融资为公司持续发展注入了强劲动力，为切实解决大规模连续生产的各项工程问题，提升产能、良率，准备GW级量产，提供了充足保障。光晶能源成立等会说。

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1月25日，钙钛矿创业企业广东光晶能源科技有限公司宣布，近日，经国家光伏产业计量测试中心认证，光晶能源研发的815.9平方厘米大尺寸钙钛矿组件稳态效率达到20.13%,是30cm*30cm尺寸组件稳态效率的最高纪录。光晶能源表示，钙钛矿组件具有弱光发电性能好、温度衰减系数低等优说完了。金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，广东光晶能源科技有限公司取得一项名为“太阳能电池组件”的专利，授权公告号CN 221783221 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本申请涉及一种太阳能电池组件。太阳能电池组件包括：背板；透明载板，与背板间隔设置；边缘还有呢？