三星柱

金融界2024年5月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“的专利，公开号CN118019329A,申请日期为是什么。在所述第二水平方向上延伸的第二线图案部分、以及在所述位线结构之间从所述第一线图案部分沿垂直方向延伸的柱部分，所述垂直方向与所述是什么。金融界2024年1月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“有带对准栅电极的垂直晶体管的半导体器件及其制造方法“授权公告号CN108511526B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底上的有源柱。第一源极/漏极区设置在有源柱的顶说完了。

密封接线柱产品是直接供给压缩机厂的，已覆盖国内外主要压缩机生产厂家，包括华意系公司、东贝系公司、美的系公司、钱江公司、江苏白雪后面会介绍。LG电子等国内和国际知名企业；温度控制器产品的客户主要有美的、海尔、海信、三星、格兰仕、苏泊尔、利仁、科沃斯、方太、松下、惠而后面会介绍。金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装以及制造半导体封装的方法”，公开号CN1179小发猫。贯通柱，在半导体芯片周围并在第一再分布基板上；以及第二再分布基板，在半导体芯片和贯通柱上，其中，第一布线层包括第一钛籽晶层，第一钛籽小发猫。

三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器装置“公开号CN117998840A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，公开了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括在基底上在第一方向上延伸的多条位线、分别在所述多条位线上的多个有源柱、沿所述多个有源柱在第二方后面会介绍。金融界2024年4月16日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装及其制造方法“公开号CN117894746A,申请还有呢？通过在多个开口中形成导电材料来形成多个导电柱；去除多层光刻胶；在第一布线结构上设置半导体芯片；在半导体芯片和多个导电柱上形成密封还有呢？

金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“非易失性存储器件及其制造方法“授权公告号CN109801等我继续说。该存储单元阵列包括堆叠在上基板上的多个栅极导电层以及穿过所述多个栅极导电层并在垂直于上基板的顶表面的方向上延伸的多个柱；以及在等我继续说。金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器件“的专利，公开号CN117794248A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括单元串以及连接到所述单元串的第一导电柱和第二导电柱。所述单元串包括彼此间隔等我继续说。

金融界2024年3月29日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“图像传感器“公开号CN117790520A,申请日期为2023年后面会介绍。包括多个第一纳米柱和在所述多个第一纳米柱周围的第一周边材料层；化学机械抛光(CMP)停止层，在第一周边材料层上；蚀刻停止层，在CMP停止后面会介绍。金融界2024年3月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“的专利，公开号CN117651420A,申请日期为是什么。第一导电柱，在沟道层上，穿透公共源极板，并且连接到第一互连部；以及第二导电柱，在沟道层上，在第一方向上与第一导电柱间隔开，并且连接到公是什么。